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DDR1
大容量DDR1是高速、高存储密度的同步动态随机访问数据存储器，由1个或多个DDR1基片采用立体封装工艺堆叠而成。广泛应用于航空航天领域嵌入式计算机系统。
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产品特性 |
总容量：1G~8G;
访问速度：最快达7.5ns；
数据宽度：8位，16位，72位；
电源电压：2.5V；
典型产品辐照指标：
TID: ＞50 krad（Si）
SEL: ＞80 Mev·cm2/mg
SEU: ＞0.7 Mev·cm2/mg
工作温度：-55℃~105℃。
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产品列表 |
|
# |
DDR1 |
存储容量（bit） |
存储组织 |
电压 |
访问速度 |
抗辐射 |
封装 |
温度等级 |
筛选等级 |
质量等级 |
||
|
TID 1 |
SEL 2 |
SEU 3 |
||||||||||
|
1 |
VD1D1G16xS66xx1T7B |
1G |
64M*16 |
2.5V |
7.5 ns |
>50 |
>80 |
>0.7 |
SOP66 |
E、I、S |
E、B、S |
EE、IB、SS |
|
2 |
VD1D2G16xS66xx2T7B |
2G |
128M*16 |
2.5V |
7.5 ns |
>50 |
>80 |
>0.7 |
SOP66 |
E、I、S |
E、B、S |
EE、IB、SS |
|
3 |
VD1D2G32xS86xx2T7B |
2G |
64M*32 |
2.5V |
7.5 ns |
>50 |
>80 |
>0.7 |
SOP86 |
E、I、S |
E、B、S |
EE、IB、SS |
|
4 |
VD1D8G08xS66xx8T7B |
8G |
1G*8 |
2.5V |
7.5 ns |
>50 |
>80 |
>0.7 |
SOP66 |
E、I、S |
E、B、S |
EE、IB、SS |
|
5 |
VD1D8G08xS66xx8T7B-Ⅱ |
8G |
1G*8 |
2.5V |
7.5 ns |
>50 |
>80 |
>0.7 |
SOP66 |
E、I、S |
E、B、S |
EE、IB、SS |
|
6 |
VD1D8G16xS78xx8T7B |
8G |
512M*16 |
2.5V |
7.5 ns |
>50 |
>80 |
>0.7 |
SOP78 |
E、I、S |
E、B、S |
EE、IB、SS |
1、TID: Total Dose（Krads(Si)）
2、SEL: LET Threshold（Mev.cm2/mg）
3、SEU:SEU Threshold （Mev.cm2/mg）
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相关下载 |
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VD1D1G16xS66xx1T7B user manual.pdf |
|
VD1D2G16xS66xx2T7B user manual.pdf |
|
VD1D2G32xS86xx2T7B user manual.pdf |
|
VD1D8G08xS66xx8T7B user manual.pdf |
|
VD1D8G08xS66xx8T7B user manual.pdf |
|
VD1d8G16xS78xx8T7B user manual.pdf |
|
立体封装模块焊接后清洗建议.pdf |
|
立体封装模块加固建议.pdf |
|
立体封装模块手工装配工艺建议.pdf |
|
立体封装模块自动回流焊装配规范.pdf |
4Mb 8Mb 16Mb 32Mb
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