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    SDRAM

    大容量SDRAM是高存储密度的动态数据存储器,由一个或多个SDRAM基片采用立体封装工艺堆叠而成。广泛应用于航空航天领域嵌入式计算机系统。

      产品特性


    总容量:512M~4G;

    访问速度:最快达7.5ns;

    数据宽度:8位,16位,32位,40位,48位;

    电源电压:3.3V;

    典型产品辐照指标:

    TID: 50kradSi

    SEL: 80Mev·cm2/mg

    SEU: 1Mev·cm2/mg

    工作温度:-55~105℃。

     

       产品列表


    #

    SDRAM

    存储容量(bit)

    存储组织

    电压

    访问速度

    抗辐射

    封装

    温度等级

    筛选等级

    质量等级

     

     

     

     

     

     

    TID 1

    SEL 2

    SEU 3

     

     

     

     

    1

    VDSD1G16xS58xx2V75

    1G

    64M*16

    3.3V

    7.5ns

    >50

    >80

    1

    SOP58

    E、I、S

    E、B、S

    EE、IB、SS

    2

    VDSD1G32xS70xx2V75

    1G

    32M*32

    3.3V

    7.5ns

    >50

    >80

    1

    SOP70

    E、I、S

    E、B、S

    EE、IB、SS

    3

    VDSD1G32xS70xx2V75-

    1G

    32M*32

    3.3V

    7.5ns

    >50

    TBD

    TBD

    SOP70

    E、I、S

    E、B、S

    EE、IB、SS

    4

    VDSD2G08xS54xx4V75

    2G

    256M*8

    3.3V

    7.5ns

    >50

    TBD

    TBD

    SOP54

    E、I、S

    E、B、S

    EE、IB、SS

    5

    VDSD2G32xS70xx4V75

    2G

    64M*32

    3.3V

    7.5ns

    >50

    >80

    1

    SOP70

    E、I、S

    E、B、S

    EE、IB、SS

    6

    VDSD2G40xS70xx5V75

    2G

    64M*40

    3.3V

    7.5ns

    >50

    >80

    1

    SOP70

    E、I、S

    E、B、S

    EE、IB、SS

    7

    VDSD2G72xB134xx5V75

    2G

    32M*72

    3.3V

    7.5ns

    >50

    >80

    1

    BGA134

    E、I、S

    E、B、S

    EE、IB、SS

    8

    VDSD3G48xQ114xx6V75

    3G

    64M*48

    3.3V

    7.5ns

    >50

    >80

    1

    QFP114

    E、I、S

    E、B、S

    EE、IB、SS

    9

    VDSD4G08xS54xx8V75-

    4G

    512M*8

    3.3V

    7.5ns

    >50

    TBD

    TBD

    SOP54

    E、I、S

    E、B、S

    EE、IB、SS

    10

    VDSD4G08xS54xx8V75

    4G

    512M*8

    3.3V

    7.5ns

    >50

    TBD

    TBD

    SOP54

    E、I、S

    E、B、S

    EE、IB、SS

    11

    VDSD4G08xS58xx8V75

    4G

    512M*8

    3.3V

    7.5ns

    >50

    >80

    2

    SOP58

    E、I、S

    E、B、S

    EE、IB、SS

    12

    VDSD4G16xS62xx8V75

    4G

    256M*16

    3.3V

    7.5ns

    >50

    >80

    1

    SOP62

    E、I、S

    E、B、S

    EE、IB、SS

    13

    VDSD512M16xS54xx1V75

    512M

    32M*16

    3.3V

    7.5ns

    >50

    >80

    1

    SOP54

    E、I、S

    E、B、S

    EE、IB、SS


    1、TID: Total DoseKrads(Si)

    2、SEL: LET ThresholdMev.cm2/mg

    3、SEU:SEU Threshold Mev.cm2/mg

     

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    立体封装模块焊接后清洗建议.pdf

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    立体封装模块加固建议.pdf

    立体封装模块加固建议_opt.pdf

    立体封装模块手工装配工艺建议.pdf

    立体封装模块手工装配工艺建议.pdf

    立体封装模块自动回流焊装配规范.pdf

    立体封装模块自动回流焊装配规范_opt.pdf

    4Mb 8Mb 16Mb 32Mb

    • Part Number Configuration Voltage Clock Rate / Access time Package Temperature SCD#
      暂无记录
    • Part Number Configuration Voltage Clock Rate / Access time Package Temperature SCD#
      暂无记录
    • Part Number Configuration Voltage Clock Rate / Access time Package Temperature SCD#
      暂无记录
    • Part Number Configuration Voltage Clock Rate / Access time Package Temperature SCD#
      暂无记录

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