- Part Number Configuration Voltage Clock Rate / Access time Package Temperature SCD#
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大容量SDRAM是高存储密度的动态数据存储器,由一个或多个SDRAM基片采用立体封装工艺堆叠而成。广泛应用于航空航天领域嵌入式计算机系统。
产品特性 |
总容量:512M~4G;
访问速度:最快达7.5ns;
数据宽度:8位,16位,32位,40位,48位;
电源电压:3.3V;
典型产品辐照指标:
TID: >50krad(Si)
SEL: >80Mev·cm2/mg
SEU: 1Mev·cm2/mg
工作温度:-55℃~105℃。
产品列表 |
# |
SDRAM |
存储容量(bit) |
存储组织 |
电压 |
访问速度 |
抗辐射 |
封装 |
温度等级 |
筛选等级 |
质量等级 |
||
|
|
|
|
|
|
TID 1 |
SEL 2 |
SEU 3 |
|
|
|
|
1 |
VDSD1G16xS58xx2V75 |
1G |
64M*16 |
3.3V |
7.5ns |
>50 |
>80 |
1 |
SOP58 |
E、I、S |
E、B、S |
EE、IB、SS |
2 |
VDSD1G32xS70xx2V75 |
1G |
32M*32 |
3.3V |
7.5ns |
>50 |
>80 |
1 |
SOP70 |
E、I、S |
E、B、S |
EE、IB、SS |
3 |
VDSD1G32xS70xx2V75-Ⅱ |
1G |
32M*32 |
3.3V |
7.5ns |
>50 |
TBD |
TBD |
SOP70 |
E、I、S |
E、B、S |
EE、IB、SS |
4 |
VDSD2G08xS54xx4V75 |
2G |
256M*8 |
3.3V |
7.5ns |
>50 |
TBD |
TBD |
SOP54 |
E、I、S |
E、B、S |
EE、IB、SS |
5 |
VDSD2G32xS70xx4V75 |
2G |
64M*32 |
3.3V |
7.5ns |
>50 |
>80 |
1 |
SOP70 |
E、I、S |
E、B、S |
EE、IB、SS |
6 |
VDSD2G40xS70xx5V75 |
2G |
64M*40 |
3.3V |
7.5ns |
>50 |
>80 |
1 |
SOP70 |
E、I、S |
E、B、S |
EE、IB、SS |
7 |
VDSD2G72xB134xx5V75 |
2G |
32M*72 |
3.3V |
7.5ns |
>50 |
>80 |
1 |
BGA134 |
E、I、S |
E、B、S |
EE、IB、SS |
8 |
VDSD3G48xQ114xx6V75 |
3G |
64M*48 |
3.3V |
7.5ns |
>50 |
>80 |
1 |
QFP114 |
E、I、S |
E、B、S |
EE、IB、SS |
9 |
VDSD4G08xS54xx8V75-Ⅱ |
4G |
512M*8 |
3.3V |
7.5ns |
>50 |
TBD |
TBD |
SOP54 |
E、I、S |
E、B、S |
EE、IB、SS |
10 |
VDSD4G08xS54xx8V75 |
4G |
512M*8 |
3.3V |
7.5ns |
>50 |
TBD |
TBD |
SOP54 |
E、I、S |
E、B、S |
EE、IB、SS |
11 |
VDSD4G08xS58xx8V75 |
4G |
512M*8 |
3.3V |
7.5ns |
>50 |
>80 |
2 |
SOP58 |
E、I、S |
E、B、S |
EE、IB、SS |
12 |
VDSD4G16xS62xx8V75 |
4G |
256M*16 |
3.3V |
7.5ns |
>50 |
>80 |
1 |
SOP62 |
E、I、S |
E、B、S |
EE、IB、SS |
13 |
VDSD512M16xS54xx1V75 |
512M |
32M*16 |
3.3V |
7.5ns |
>50 |
>80 |
1 |
SOP54 |
E、I、S |
E、B、S |
EE、IB、SS |
1、TID: Total Dose(Krads(Si))
2、SEL: LET Threshold(Mev.cm2/mg)
3、SEU:SEU Threshold (Mev.cm2/mg)
相关下载 |
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